Laser ultra-violet d'un banc de caractérisation optique pour caractériser des transistors bipolaires

Laser ultra-violet d'un banc de caractérisation optique développé pour caractériser des transistors bipolaires. Invisible à l'œil nu, le faisceau est ici montré à l'aide d'une carte luminescente. Ce faisceau permet de déclencher le transistor bipolaire, reporté sur un circuit électronique, en générant des paires électron-trou (couples d'électrons et de "trous" globalement à charge nulle) à l'origine du courant. Le projet HV-PhotoSw a permis la conception, la fabrication et la caractérisation d’un transistor bipolaire en carbure de silicium (SiC). Il permet de supporter une tension maximale de 10 kV (kilovolts) et commandable par un faisceau optique pour éviter tous les problèmes d’isolation électrique du côté de la commande. Les transistors bipolaires en carbure de silicium (SiC) à commande optique offrent ainsi, contrairement aux transistors conventionnels en silicium (Si), des performances supérieures à des températures élevées et une meilleure résistance aux fortes tensions.

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Ces recherches ont été financées en tout ou partie, par l’Agence Nationale de la Recherche (ANR) au titre du projet ANR- HV-PhotoSw-AAPG2018. Ce reportage a été réalisé et financé dans le cadre de l’appel à projet Sciences Avec et Pour la Société - Culture Scientifique Technique et Industrielle pour les projets JCJC et PPRC des appels à projets génériques 2018-2019 (SAPS-CSTI-JCJ et PRC AAPG 18/19).