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Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Bâti de dépôt de couche mince par épitaxie par jet moléculaire (MBE). L'épitaxie par jet moléculaire (ou Molecular Beam Epitaxy) requiert un appareil ou bâti spécifique pour obtenir un vide poussé (de 10-8 à 10-12 Torr, soit une pression équivalente à un milliardième de milliardième de celle de l'atmosphère terrestre). Elle est utilisée pour la croissance de couches minces de matériaux III-V (semiconducteurs composés des éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique,) dans…

Bâti de dépôt de couche mince par épitaxie par jet moléculaire (MBE). L'épitaxie par jet moléculaire (ou Molecular Beam Epitaxy) requiert un appareil ou bâti spécifique pour obtenir un vide poussé (de 10-8 à 10-12 Torr, soit une pression équivalente à un milliardième de milliardième de celle de l'atmosphère terrestre). Elle est utilisée pour la croissance de couches minces de matériaux III-V (semiconducteurs composés des éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique,) dans…

Salle blanche de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Le bâti d'épitaxie par jet moléculaire (MBE ou Molecular Beam Epitaxy), à droite, bénéficie d'un laboratoire dédié d'une superficie de 60 m² parmi les 3500 m² de salles blanches disponibles avec les utilités spécifiques nécessaires à son bon fonctionnement (azote liquide, refroidissement, courant secouru, etc.). Ce bâti permet de produire des cellules solaires multijonctions, qui convertissent de manière très efficace l’énergie…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) constitué d'une chambre centrale permettant le transfert des plaquettes de silicium depuis le sas de chargement vers une des chambres de dépôt située en périphérie. Chaque chambre de dépôt est dédiée à un type de matériau : silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, dopé type N, dopé type P, couches diélectriques (a-SiOx et a-SiNx:H). Les propriétés des couches minces déposées…

Discussions autour d’un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une parfaite passivation (c’est-à-dire la…

Opération de maintenance sur un panneau photovoltaïque en toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF).

Détail d'un panneau photovoltaïque en toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Différents éléments peuvent détériorer le rendement des panneaux solaires dans leur environnement opérationnel. C'est le cas par exemple d'impacts de grêle comme celui-ci. L'IPVF dispose de nombreux équipements permettant d'évaluer et d'analyser les pertes dues à ce type d'événement.

Détail d'un panneau photovoltaïque en toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Les cellules solaires sont interconnectées et encapsulées dans un panneau photovoltaïque. Différents éléments peuvent détériorer le rendement des panneaux solaires dans leur environnement opérationnel. Un dépôt de poussière est visible en surface du module, pouvant impacter ses performances. L'IPVF dispose de nombreux équipements permettant d'évaluer et d'analyser les baisses de performance liées…

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux solaires photovoltaïques sont utilisés pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux solaires photovoltaïques sont utilisés pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux solaires photovoltaïques sont utilisés pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux photovoltaïques sont utilisés pour la conversion d'énergie solaire. D'une puissance crête, puissance maximale possible, de 14 kWc, cette installation contribue à la production d'électricité verte directement sur site. L'électricité produite est utilisée en autoconsommation.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle visuel d'échantillons de couches minces après dépôt par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle visuel d'échantillons de couches minces après dépôt par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle des paramètres d’un dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle visuel d'échantillons de couches minces après dépôt par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle visuel d'échantillons de couches minces après dépôt par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle visuel d'échantillons de couches minces après dépôt par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Contrôle visuel d'échantillons de couches minces après dépôt par ALD (Atomic Layer Deposition). Basée sur des réactions chimiques de surface, cette méthode permet de synthétiser des couches minces conformes, avec un contrôle à l’échelle atomique de leur composition et de leur épaisseur. Ainsi, cette technique est particulièrement bien adaptée à l’ingénierie d’interfaces et participe à la fabrication de cellules solaires à très haut rendement de conversion.

Une chercheuse dépose une couche de pérovskite par voie liquide à l'aide d'un spin coater dans une boîte à gants. Les pérovskites constituent un matériau prometteur pour la prochaine génération de cellules photovoltaïques. La boîte à gants a un double rôle : elle protège le matériau pérovskite sensible à l'humidité et à l'oxygène de l'air, mais aussi et surtout l'utilisatrice d'une exposition aux produits chimiques manipulés.

Synthèse de couches minces pérovskite en boîte à gants. Une chercheuse travaille sur un dépôt de précurseurs pérovskites par spin coating en boîte à gants. Les pérovskites constituent un matériau prometteur pour la prochaine génération de cellules photovoltaïques. La vitre orangée de la boîte à gants protège les composés photosensibles lors des formulations et des dépôts.

Synthèse de couches minces pérovskite en boîte à gants. Une chercheuse travaille sur un dépôt de précurseurs pérovskites par spin coating en boîte à gants. Les pérovskites constituent un matériau prometteur pour la prochaine génération de cellules photovoltaïques. La vitre orangée de la boîte à gants protège les composés photosensibles lors des formulations et des dépôts.

Synthèse de couches minces pérovskite en boîte à gants. Une chercheuse travaille sur un dépôt de précurseurs pérovskites par spin coating en boîte à gants. Les pérovskites constituent un matériau prometteur pour la prochaine génération de cellules photovoltaïques. La vitre orangée de la boîte à gants protège les composés photosensibles lors des formulations et des dépôts.

Synthèse de couches minces de pérovskite en boîte à gants. Étapes de recuit et soufflage des échantillons de pérovskite pour finaliser l'évaporation des solvants et favoriser la formation d'une couche de pérovskite homogène. Les pérovskites constituent un matériau prometteur pour la prochaine génération de cellules photovoltaïques.