Réglage des paramètres des étapes successives de dépôts et/ ou traitements du substrat d'un réacteur plasma microonde

Réglage des paramètres de chacune des étapes successives de dépôts et/ ou traitements du substrat d'un réacteur plasma microonde (2,45 GHz). Les sources utilisées sont des "applicateurs" ou "antennes" microondes dipolaires disposés en matrice (ici au nombre de 12). Ce type de dispositif fonctionne sur le principe de la résonance cyclotronique électronique, qui combine l'action d'un rayonnement électromagnétique à 2,45 GHz et celle d'un champs magnétique statique produit par des aimants en samarium-cobalt (SmCo). Chaque antenne produit ainsi son propre volume de plasma et l'ensemble permet de créer un plasma de grand volume (en fonction du nombre d'antennes mises en œuvre). Cela permet donc de traiter des surfaces planes ou des pièces 3D de divers types à basse température. Ici, il s'agit de l'élaboration de couches minces par plasma microonde très basse pression à partir de molécules complexes (notamment de types organométalliques, organosiliciées, hydrocarbonées) sur des matériaux tels que le silicium ou des polymères.