© Marc COUSINEAU/LAPLACE/CNRS Images
Reference
20180009_0006
Circuit intégré réalisé dans une technologie submicromètreique CMOS
Circuit intégré réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) CMOS (Complementary metal oxide semiconductor) implémentant des électroniques analogiques Large-bande, Basses-tensions (300MHz, 5V) (laboratoire LAPLACE). Des amplificateurs opérationnels, conçus à partir de transistors de petites tailles (0.35 x 1 µm² en pratique) et de capacités de faibles valeurs (0.5 à 3 pF, carrés jaunes sur la figure), s'y trouvent. Ils servent à amplifier une différence de potentiel électrique présente à leurs entrées. Cette électronique permet de réaliser une fonction d’auto-entrelacement des signaux de commande d’un convertisseur multiphasé.
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