Image d'une surface nanostructurée d'un métal ferromagnétique MnAs, par microscopie tunnel à balayag

Image d'une surface nanostructurée d'un métal ferromagnétique MnAs, par microscopie tunnel à balayage. L'arséniure de manganèse (MnAs) est déposé par épitaxie par jets moléculaires sur un substrat d'arséniure de gallium (GaAs). L'objectif de la recherche est de contrôler la morphologie et la structuration de la surface afin de l'utiliser comme gabarit pour la croissance de nanostructures magnétiques. Un autre aspect des recherches sur la croissance de MnAs sur un substrat de GaAs est l'optimisation d'hétérostructures pour la spintronique, notamment l'injection de spin dans un semi-conducteur.