
© Xavier PIERRE/CNRS Images
Réglage de l'injection d'un amplificateur laser semiconducteur. Une première diode laser est asservi
Reference
20050001_0480
Production year
2005
Max. size
34.68 x 23.2 cm / 300 dpi
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Réglage de l'injection d'un amplificateur laser semiconducteur. Une première diode laser est asservie en fréquence sur une raie d'absorption du rubidium. Afin d'obtenir un faisceau laser plus puissant (près d'un demi Watt, nécessaire pour le piégeage des atomes avec de gros faisceaux) on injecte la lumière du système de référence maitre dans une deuxième diode laser, spécialement conçue pour amplifier. L'alignement des deux dispositifs est critique et demande un certain soin.