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Système de croissance de nanostructures semiconductrices III-V par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organométalliques (EPVOM). Les croissances sont réalisées à partir d'un substrat hôte, à basse pression (60 Torrs) sous gaz porteur hydrogène avec des précurseurs organométalliques et les gaz arsine et phosphine. Ce bâti polyvalent (croissance à base d'arséniures ou de phosphures) est utilisé pour la fabrication d'hétérostructures pour des études fondamentales (optique quantique) ou appliquées (dispositifs opto-électroniques pour les télécommunications).
